IEEE Electron Device Letters（简称《EDL》）是电子器件领域的顶级快速发表期刊，专注于新型电子器件、工艺技术及性能突破的短篇通信，涵盖半导体器件、纳米电子学、功率器件、光电器件及传感器，
我们基于期刊官网的投稿指南，并更新了2025年最新的影响因子，希望为您的投稿提供支持。
IEEE推荐AJE的论文润色等服务，您在向IEEE旗下期刊提交稿件时，可以将AJE的润色证明一并提交给期刊。
期刊主页：https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55
期刊简介
EDL由IEEE Electron Devices Society主办，创刊于1980年，致力于发表电子器件领域的高质量短篇通信，主题包括新型半导体器件（如MOSFET、FinFET）、纳米电子学、功率器件（如IGBT、SiC）、光电器件（如LED、激光器）、传感器、存储器及柔性电子器件。文章需具创新性、科学严谨性及对器件技术或性能的显著贡献，适合电子工程、材料科学及半导体行业的专业人士。期刊以快速发表著称，初审平均4-6周（官网数据）。作为混合出版期刊，作者可选择传统订阅模式或开放获取（OA）。
期刊相关信息：
- 影响因子：4.5（2024年）
- 中科院分区：2区（工程技术）3区（工程：电子与电气）
- 出版费用：开放获取费用（APC）为2,645美元（2025年IEEE标准，官网数据）；订阅模式无APC。
- 出版频率：月刊（每年12期，官网数据）。
- 开放获取：混合出版，可选择OA或订阅模式。
投稿注意事项
- 文章长度：严格限制为3页（双栏，含图表和参考文献），特殊情况可达4页，需编辑批准并支付超页费（220美元/页）。
- Cover letter：需提交，说明研究的创新性、技术突破及适合《EDL》的理由，突出对器件性能的贡献及为何适合短篇通信。
- 初始投稿格式：需使用IEEE双栏模板（Word或LaTeX），初稿提交PDF，图表嵌入正文。
- 数据可用性：鼓励公开数据，建议存放在IEEE DataPort或公共存储库（如figshare、Zenodo）并提供DOI。
- 代码可用性：涉及器件建模或仿真的需提供代码（如GitHub链接）或补充材料。
- 预印本政策：接受在arXiv等预印本服务器发布的稿件，需在投稿时声明。
- 审稿周期：初审约4-6周，采用单盲评审，至少两位审稿人。
- 出版费用减免：开放获取文章的无资助研究可申请APC减免，投稿后联系IEEE出版办公室（openaccess@ieee.org）。
- 开放获取选项：作者可选择开放获取（需支付APC）或订阅模式（无APC）。
- 彩图费用：订阅模式下，彩图每页175美元；开放获取文章无彩图费用。
- 投稿限制：仅允许一轮修订，拒绝后需编辑许可方可重新提交。
- 语言润色：建议使用IEEE推荐的AJE（American Journal Experts）服务，润色证明可随稿件提交。
- 扩展论文：不接受基于会议论文的扩展，需为原创短篇通信。
- 伦理要求：涉及人类或动物实验的需提供伦理委员会批准编号，遵循《赫尔辛基宣言》或动物伦理指南。
- 器件特有要求：需明确器件参数（如阈值电压、载流子迁移率）、工艺条件及测试环境（如温度、频率）。
文章类型
《EDL》主要发表以下类型文章：
- Letter：短篇通信（≤3页），报告电子器件的原创研究或技术突破。
- Comment：对已发表文章的评论或更正（≤1页），需编辑批准。
- Correction：更正已发表文章，需编辑批准。
投稿需通过Manuscript Central提交，所有文章均为短篇，无Regular Paper或Survey Paper。
文章结构
一篇典型的Letter包括以下部分，每部分附简短英文示例：
- 标题：简洁、描述性，突出器件主题，最大15字。
示例：
2D MoS2 Transistor Performance - 作者信息：列出所有作者的姓名、单位、电子邮件及ORCID。
示例：
Department of Electrical Engineering, MIT, Cambridge, MA, USA
Alice Wang, Bob Chen
Semiconductor Lab, KAIST, Daejeon, South Korea
Min-Jae Kim - 贡献声明：明确每位共同作者的贡献，遵循IEEE标准。
示例：
A.W. fabricated the device; B.C. performed measurements; M.-J.K. wrote the manuscript. - 通信作者：指定通信作者，提供电子邮件及ORCID。
示例：
Correspondence to: Min-Jae Kim (minjae.kim@kaist.ac.kr) - 摘要：概述研究背景、方法、结果和意义，最大150字，无参考文献。
示例：
A MoS2 transistor achieves 100 cm²/V·s mobility. Tests at 300 K show low leakage. Data at Zenodo (10.5281/zenodo.123456). This enhances 2D electronics. - 关键词：提供3-5个关键词，便于检索。
示例：
MoS2, 2D materials, transistor, mobility - 引言：简要介绍研究背景、问题及目标，需包含参考文献。
示例：
2D transistors face mobility limits [1]. MoS2 shows promise [2]. This letter demonstrates a high-performance device. - 正文：简洁描述方法、实验、结果及讨论，突出器件性能，可不分节。
示例：
The MoS2 transistor uses a 5 nm film (figure 1). Mobility reaches 100 cm²/V·s at 10 V [3]. - 结论：总结关键发现，强调器件贡献。
示例：
Conclusion:
The MoS2 device offers high mobility. Future work targets gate scaling. - 参考文献：列出3-10个引用文献（详见第6节）。
示例：
[1] T. Zhang et al., “2D transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 45, no. 9, pp. 123-125, Sep. 2024. - 致谢（可选）：感谢资助机构或个人，包含资助编号。
示例：
Funded by NSF grant ECCS-1234567. We thank the MIT NanoLab. - 作者简介：简述作者背景、教育经历及研究兴趣，附照片（可选）。
示例：
Alice Wang received the Ph.D. degree from MIT in 2022. Her research focuses on 2D devices. - 伦理声明：包括利益冲突声明及伦理合规（如适用）。
示例：
Competing interests: The authors declare no competing interests.
Ethics approval: Not applicable. - 数据可用性：提供数据存储库名称和访问编号。
示例：
Data at Zenodo: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456 - 补充材料（可选）：提供额外数据、代码或视频。
示例：
Supplementary Data S1: Device measurement datasets.
格式要求
《EDL》要求初稿使用IEEE双栏模板（Word或LaTeX），严格3页，修订稿需符合出版规范。以下是具体要求：
字体和字号
- 正文：Times New Roman，10号字，单倍行距。
- 一级标题：粗体，11号字，首字母大写。
- 二级标题：粗体，10号字，首字母大写。
- 图表标题：粗体，8号字。
页面布局
- 使用 A4或Letter纸张，双栏排版。
- 页边距：上2.5厘米，下1.9厘米，左右1.6厘米。
- 行距：单倍行距，段前段后0点间距。
图表格式
- 图表嵌入正文，初稿为PDF，修订稿需单独上传高分辨率文件。
- 图表标题置于下方，Times New Roman，8号字，居中。
- 图表文字：8号字，确保清晰。
- 图表分辨率：至少300 DPI，推荐格式为TIFF、EPS或高分辨率JPEG。
- 颜色选择：支持彩色，建议高对比度（如蓝/黄），避免红绿。
- 图例：每幅图说明不超过100字，置于图下方。
- 版权：需获得受版权保护的图表许可，提交许可文件。
- 示例：
Figure 1: Device performance.
a I-V curve (blue: MoS2; red: baseline). b Mobility vs. voltage.
公式与术语
- 公式居中，右对齐编号，如 (1)，文中称为“equation (1)”。
- 术语遵循IEEE及器件标准（如“carrier mobility”而非 “charge mobility”）。
- 示例：
(1) I = q·n·v·A
表格
- 表格嵌入正文，包含标题和图例，置于页面顶部或底部。
- 大型表格作为补充材料（如Excel）。
参考文献格式
《EDL》要求使用IEEE引用风格，按文中出现顺序编号，文中以方括号引用（如 [1]）。参考文献需准确，建议3-10条，优先引用期刊文章。以下是示例：
- 期刊文章：
[1] T. Zhang, S. Li, et al., “2D transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 45, no. 9, pp. 123-125, Sep. 2024. - 会议论文：
[2] A. Wang and B. Chen, “MoS2 devices,” in Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, USA, Dec. 2024, pp. 10-11. - 书籍：
[3] S. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 4th ed., Hoboken, NJ, USA: Wiley, 2021. - 数据集：
[4] A. Wang and M.-J. Kim, “Device dataset,” Zenodo, 2024. [Online]. Available: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456 - 预印本：
[5] B. Chen and M.-J. Kim, “2D device advances,” arXiv:2401.12345, Jan. 2024. [Online]. Available: https://arxiv.org/abs/2401.12345
伦理声明
- 利益冲突：需声明所有作者的利益冲突（如“无利益冲突”）。
- 伦理合规：涉及人类或动物实验的需提供伦理委员会批准编号，遵循《赫尔辛基宣言》或动物伦理指南。
- 数据可用性：需声明数据存储库及访问方式。
- 代码可用性：需提供代码存储库或补充材料。
- 示例：
Competing interests: The authors declare no competing interests.
Ethics approval: Not applicable.
Data availability: Data at Zenodo: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456.
Code availability: Code at GitHub: https://github.com/MoS2Device.
补充材料
- 补充材料作为单独文件提交，格式为PDF、Excel、MP4（H.264编码，16:9）或ZIP.
- 包含大型数据集、代码或视频，无额外费用。
- 示例：
Supplementary Data S1: Device measurement datasets.
投稿流程
作者需通过Manuscript Central提交论文。流程如下：
- 注册并关联ORCID，指定通信作者（需符合IEEE作者标准）。
- 上传IEEE模板稿件（PDF）、cover letter、图表（嵌入PDF）及补充材料。
- 提供利益冲突声明、数据/代码可用性声明及伦理声明。
- 提交推荐审稿人（可选，2-3人，需提供姓名、邮箱及理由）。
- 在Manuscript Central跟踪审稿状态，初审约4-6周。
- 修订稿需提交：修改稿（Word/LaTeX）、审稿回复（逐点回应）、高分辨率图表。
- 可联系编辑部（edl-eic@ieee.org）查询状态或申请APC减免（开放获取文章）。
最后
IEEE Electron Device Letters 作为电子器件领域的快速发表的期刊，投稿需兼顾创新性、技术突破及对器件性能的显著贡献。我们系统解析了从标题到补充材料的规范，配以英文示例，希望为您的投稿提供坚实支持。
