IEEE Transactions on Electron Devices（简称《TED》）是电子器件领域的权威期刊，聚焦电子器件的设计、制造、物理机制及应用，涵盖半导体器件、纳米电子学、功率器件、光电器件、传感器及柔性电子。
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期刊主页：https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16
期刊简介
《TED》由IEEE Electron Devices Society主办，创刊于1954年，致力于发表电子器件领域的高质量研究，主题包括半导体器件（如MOSFET、HEMT）、纳米电子学、功率器件（如SiC、GaN）、光电器件（如光伏、LED）、传感器、存储器、柔性电子及量子器件。文章需具创新性、科学严谨性及对器件技术或应用的实际价值，适合电子工程、材料科学及半导体行业的专业人士。期刊采用严格的同行评审，初审平均8-12周（官网数据）。作为混合出版期刊，作者可选择传统订阅模式或开放获取（OA）。
期刊相关信息：
- 影响因子：3.2（2025年）
- 中科院分区：3区（工程技术-工程：电子与电气-物理：应用）
- 出版费用：开放获取费用（APC）为2,645美元（2025年IEEE标准，官网数据）；订阅模式无APC。
- 出版频率：月刊（每年12期，官网数据）。
- 开放获取：混合出版，可选择OA或订阅模式。
投稿注意事项
- 文章长度：建议6-10页（双栏），含图表和参考文献；超过10页需支付超页费（220美元/页）。
- Cover letter：需提交，说明研究的创新性、技术贡献及适合《TED》的理由，突出对器件技术或应用的贡献。
- 初始投稿格式：需使用IEEE双栏模板（Word或LaTeX），初稿提交PDF，图表嵌入正文。
- 数据可用性：鼓励公开数据，建议存放在IEEE DataPort或公共存储库（如figshare、Zenodo）并提供DOI。
- 代码可用性：涉及器件建模或仿真的需提供代码（如GitHub链接）或补充材料。
- 预印本政策：接受在arXiv等预印本服务器发布的稿件，需在投稿时声明。
- 审稿周期：初审约8-12周，采用单盲评审，至少三位审稿人。
- 出版费用减免：开放获取文章的无资助研究可申请APC减免，投稿后联系IEEE出版办公室（openaccess@ieee.org）。
- 开放获取选项：作者可选择开放获取（需支付APC）或订阅模式（无APC）。
- 彩图费用：订阅模式下，彩图每页175美元；开放获取文章无彩图费用。
- 投稿限制：允许一轮主要修订和一轮次要修订，拒绝后需编辑许可方可重新提交。
- 语言润色：建议使用IEEE推荐的AJE（American Journal Experts）服务，润色证明可随稿件提交。
- 扩展论文：如基于会议论文扩展，需新增至少30%内容，并提交原会议论文供审查。
- 伦理要求：涉及人类或动物实验的需提供伦理委员会批准编号，遵循《赫尔辛基宣言》或动物伦理指南。
- 器件特有要求：需明确器件参数（如功耗、响应时间）、工艺条件（如退火温度）及测试环境（如真空、频率范围）。
文章类型
《TED》主要发表以下类型文章：
- Regular Paper：完整研究文章（6-10页），报告电子器件的原创研究。
- Short Paper：简短研究报告（≤4页），聚焦新颖技术或初步结果。
- Review Paper：综述某一器件技术专题（6-10页），需具广泛参考价值，通常由编辑邀请。
- Comment：对已发表文章的评论或更正（≤2页），需编辑批准。
- Correction：更正已发表文章，需编辑批准。
投稿需通过Manuscript Central提交，Review Paper需先联系编辑（ted-eic@ieee.org）。
文章结构
一篇典型的Regular Paper包括以下部分，每部分附简短英文示例：
- 标题：简洁、描述性，突出器件主题，最大15字。
示例：
GaN HEMT for High-Power Applications - 作者信息：列出所有作者的姓名、单位、电子邮件及ORCID。
示例：
Department of Electrical Engineering, UC Berkeley, Berkeley, CA, USA
Emma Liu, James Carter
Power Electronics Lab, ETH Zurich, Zurich, Switzerland
Anna Schmidt - 贡献声明：明确每位共同作者的贡献，遵循IEEE标准。
示例：
E.L. designed the device; J.C. performed simulations; A.S. wrote the manuscript. - 通信作者：指定通信作者，提供电子邮件及ORCID。
示例：
Correspondence to: Anna Schmidt (anna.schmidt@ethz.ch) - 摘要：概述研究背景、方法、结果和意义，最大250字，无参考文献。
示例：
A GaN HEMT achieves 95% efficiency at 100 W. Tests at 1 GHz show low losses. Code at GitHub (https://github.com/GaNHEMT). Data at Zenodo (10.5281/zenodo.123456). This advances power electronics. - 关键词：提供3-8个关键词，便于检索。
示例：
GaN, HEMT, power electronics, efficiency - 引言：介绍研究背景、问题及目标，需包含参考文献。
示例：
High-power applications demand efficient devices [1]. GaN HEMTs offer solutions [2]. This paper proposes a novel design. - 正文：分节描述方法、实验、结果和讨论，使用子标题。
示例：
Device Fabrication
The HEMT uses a 2 μm GaN layer (figure 1) [3]. - 结论：总结关键发现，提出应用或未来方向。
示例：
Conclusion
The HEMT enhances efficiency. Future work will explore higher frequencies. - 参考文献：列出所有引用文献（详见第6节）。
示例：
[1] R. Patel et al., “GaN power devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 71, no. 8, pp. 123-134, Aug. 2024. - 致谢（可选）：感谢资助机构或个人，包含资助编号。
示例：
Funded by DARPA grant HR0011-1234567. We thank the UC Berkeley FabLab. - 作者简介：简述作者背景、教育经历及研究兴趣，附照片（可选）。
示例：
Emma Liu received the Ph.D. degree from UC Berkeley in 2022. Her research focuses on power devices. - 伦理声明：包括利益冲突声明及伦理合规（如适用）。
示例：
Competing interests: The authors declare no competing interests.
Ethics approval: Not applicable. - 数据可用性：提供数据存储库名称和访问编号。
示例：
Data at Zenodo: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456 - 补充材料（可选）：提供额外数据、代码或视频。
示例：
Supplementary Video S1: Device test demo.
Supplementary Data S1: Performance datasets.
格式要求
《TED》要求初稿使用IEEE双栏模板（Word or LaTeX），建议6-10页，修订稿需符合出版规范。以下是具体要求：
Font and Size
- 正文：Times New Roman，10号字，单倍行距。
- 一级标题：粗体，11号字，首字母大写。
- 二级标题：粗体，10号字，首字母大写。
- 图表标题：粗体，8号字。
Page Layout
- 使用 A4或Letter纸张，双栏排版。
- 页边距：上2.5厘米，下1.9厘米，左右1.6厘米。
- 行距：单倍行距，段前段后0点间距。
Figure and Table Format
- 图表嵌入正文，初稿为PDF，修订稿需单独上传高分辨率文件。
- 图表标题置于下方，Times New Roman，8号字，居中。
- 图表文字：8号字，确保清晰。
- 图表分辨率：至少300 DPI，推荐格式为TIFF、EPS或高分辨率JPEG。
- 颜色选择：支持彩色，建议高对比度（如蓝/黄），避免红绿。
- 图例：每幅图说明不超过300字，置于图下方。
- 版权：需获得受版权保护的图表许可，提交许可文件。
- 示例：
Figure 1: HEMT performance.
a Efficiency vs. power (blue: GaN; red: baseline). b Switching loss.
Equations and Terminology
- 公式居中，右对齐编号，如 (1)，文中称为“equation (1)”。
- 术语遵循IEEE及器件标准（如“breakdown voltage”而非 “failure voltage”）。
- 示例：
(1) I = V/R + q·n·v
表格
- 表格嵌入正文，包含标题和图例，置于页面顶部或底部。
- 大型表格作为补充材料（如Excel）。
参考文献
《TED》要求使用IEEE引用风格，按文中出现顺序编号，文中以方括号引用（如 [1]）。参考文献需准确，优先引用期刊文章。以下是示例：
- Journal Article:
[1] R. Patel, S. Kim, et al., “GaN power devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 71, no. 8, pp. 123-134, Aug. 2024. - Conference Paper:
[2] E. Liu and J. Carter, “GaN HEMT design,” in Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, USA, Dec. 2024, pp. 10-11. - Book:
[3] S. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 4th ed., Hoboken, NJ, USA: Wiley, 2021. - Dataset:
[4] E. Liu and A. Schmidt, “HEMT dataset,” Zenodo, 2024. [Online]. Available: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456 - Preprint:
[5] J. Carter and A. Schmidt, “Device advances,” arXiv:2401.12345, Jan. 2024. [Online]. Available: https://arxiv.org/abs/2401.12345
伦理要求
- Conflict of Interest: 需声明所有作者的利益冲突（如“无利益冲突”）。
- Ethical Compliance: 涉及人类或动物实验的需提供伦理委员会批准编号，遵循《赫尔辛基宣言》或动物伦理指南。
- Data Availability: 需声明数据存储库及访问方式。
- Code Availability: 需提供代码存储库或补充材料。
- 示例：
Competing interests: The authors declare no competing interests.
Ethics approval: Not applicable.
Data availability: Data at Zenodo: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456.
Code availability: Code at GitHub: https://github.com/GaNHEMT.
补充材料
- 补充材料作为单独文件提交，格式为PDF、Excel、MP4（H.264编码，16:9）或ZIP。
- 包含大型数据集、代码或视频，无额外费用。
- 示例：
Supplementary Video S1: Device test demo.
Supplementary Data S1: Performance datasets.
投稿过程
作者需通过Manuscript Central提交论文。流程如下：
- 注册并关联ORCID，指定通信作者（需符合IEEE作者标准）。
- 上传IEEE模板稿件（PDF）、cover letter、图表（嵌入PDF）及补充材料。
- 提供利益冲突声明、数据/代码可用性声明及伦理声明。
- 提交推荐审稿人（可选，3-5人，需提供姓名、邮箱及理由）。
- 在Manuscript Central跟踪审稿状态，初审约8-12周。
- 修订稿需提交：修改稿（Word/LaTeX）、审稿回复（逐点回应）、高分辨率图表。
- 可联系编辑部（ted-eic@ieee.org）查询状态或申请APC减免（开放获取文章）。
最后
IEEE Transactions on Electron Devices作为电子器件领域的期刊，以其在器件设计、制造及应用的全面研究推动半导体技术的持续进步。
建议投稿前仔细核对官网投稿指南。
