IEEE Transactions on Materials for Electron Devices（简称《T-MED》）是电子器件材料领域的前沿期刊，致力于探索推动下一代电子技术的材料创新，涵盖半导体材料、纳米材料、二维材料及先进制造工艺，为材料科学家、纳米技术专家及器件工程师提供学术平台。本文基于期刊官网的最新指南，详细解析了论文结构、格式和投稿要求，为电子器件材料领域的学者提供清晰指导。
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期刊主页：https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=10167711
期刊简介
《T-MED》由IEEE Electron Devices Society主办，创刊于2023年，专注于电子器件材料的原创研究，主题包括半导体材料（如GaN、SiC）、二维材料（如MoS2、WSe2）、纳米材料、介电材料、导电材料及相关制造与表征技术。文章需展现创新性、科学严谨性及对器件性能或制造工艺的实际价值，适合材料科学、电气工程及纳米技术领域的专业人士。期刊采用严格的同行评审，初审平均6-10周（官网数据）。作为混合出版期刊，作者可选择传统订阅模式或开放获取（OA）。
期刊相关信息：
- 影响因子：暂无。
- 中国科学院分区：暂无。
- 出版费用：开放获取费用（APC）为2,645美元（2025年IEEE标准，官网数据）；订阅模式无APC。
- 出版频率：月刊（每年12期）。
投稿注意事项
- 文章长度：建议6-10页（双栏），含图表和参考文献；超过10页需支付超页费（220美元/页）。
- Cover letter：需提交，说明研究的创新性、技术贡献及适合《T-MED》的理由，突出对电子器件材料或制造的理论或实践贡献。
- 初始投稿格式：需使用IEEE双栏模板（Word或LaTeX），初稿提交PDF，图表嵌入正文。
- 数据可用性：鼓励公开数据，建议存放在IEEE DataPort或公共存储库（如figshare、Zenodo）并提供DOI。
- 代码可用性：涉及模拟或材料分析算法的需提供代码（如GitHub链接）或补充材料。
- 预印本政策：接受在arXiv等预印本服务器发布的稿件，需在投稿时声明。
- 审稿周期：初审约6-10周，采用单盲评审，至少三位审稿人。
- 出版费用减免：开放获取文章的无资助研究可申请APC减免，投稿后联系IEEE出版办公室（openaccess@ieee.org）。
- 开放获取选项：作者可选择开放获取（需支付APC）或订阅模式（无APC）。
- 彩图费用：订阅模式下，彩图每页175美元；开放获取文章无彩图费用。
- 投稿限制：允许一轮主要修订和一轮次要修订，拒绝后需编辑许可方可重新提交。
- 语言润色：建议使用IEEE推荐的AJE（American Journal Experts）服务，润色证明可随稿件提交。
- 扩展论文：如基于会议论文扩展，需新增至少30%内容，并提交原会议论文供审查。
- 伦理要求：涉及人类数据的需提供伦理委员会批准编号，遵循《赫尔辛基宣言》。
文章类型
《T-MED》主要发表以下类型文章：
- Regular Paper：完整研究文章（6-10页），报告电子器件材料的原创研究。
- Short Paper：简短研究报告（≤4页），聚焦新颖材料或初步结果。
- Review Paper：综述某一专题（6-10页），需具广泛参考价值，通常由编辑邀请。
- Comment：对已发表文章的评论或更正（≤2页），需编辑批准。
- Correction：更正已发表文章，需编辑批准。
投稿需通过Manuscript Central提交，Review Paper需先联系编辑（tmed-eic@ieee.org）。
文章结构
一篇典型的Regular Paper包括以下部分，每部分附简短英文示例：
- 标题：简洁、描述性，突出电子器件材料主题，最大15字。
示例：
MoS2-Based Low-Power Transistors - 作者信息：列出所有作者的姓名、单位、电子邮件及ORCID。
示例：
Department of Electrical Engineering, MIT, Cambridge, MA, USA
Anna Lee, Sanjay Gupta
Nano Materials Lab, Seoul National University, Seoul, South Korea
Min-Jae Kim - 贡献声明：明确每位共同作者的贡献，遵循IEEE标准。
示例：
A.L. synthesized materials; S.G. performed simulations; M.J.K. wrote the manuscript. - 通信作者：指定通信作者，提供电子邮件及ORCID。
示例：
Correspondence to: Min-Jae Kim (minjae.kim@snu.ac.kr) - 摘要：概述研究背景、方法、结果和意义，最大250字，无参考文献。
示例：
A MoS2 composite reduces transistor power by 30%. Tests on 1000 samples show 97% yield. Code at GitHub (https://github.com/MoS2Transistor). Data at Zenodo (10.5281/zenodo.123456). This enables low-power electronics. - 关键词：提供3-8个关键词，便于检索。
示例：
MoS2, two-dimensional materials, low-power transistors, nanotechnology - 引言：介绍研究背景、问题及目标，需包含参考文献。
示例：
Low-power transistors demand new materials [1]. MoS2 offers high performance [2]. This paper reports a novel composite. - 正文：分节描述方法、实验、结果和讨论，使用子标题。
示例：
Material Synthesis
MoS2 was grown via ALD (figure 1) [3]. - 结论：总结关键发现，提出应用或未来方向。
示例：
Conclusion
The composite lowers power consumption. Future work will explore hybrid 2D materials. - 参考文献：列出所有引用文献（详见第6节）。
示例：
[1] K. Park et al., “2D material trends,” IEEE Trans. Mater. Electron Devices, vol. 1, no. 3, pp. 123-134, Jan. 2024. - 致谢（可选）：感谢资助机构或个人，包含资助编号。
示例：
Funded by NRF grant 2023R1A2C1234567. We thank the SNU Nano Lab. - 作者简介：简述作者背景、教育经历及研究兴趣，附照片（可选）。
示例：
Anna Lee received the Ph.D. degree from MIT in 2023. Her research focuses on 2D materials. - 伦理声明：包括利益冲突声明及伦理合规（如适用）。
示例：
Competing interests: The authors declare no competing interests.
Ethics approval: Not applicable. - 数据可用性：提供数据存储库名称和访问编号。
示例：
Data at Zenodo: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456 - 补充材料（可选）：提供额外数据、代码或视频。
示例：
Supplementary Video S1: MoS2 synthesis demo.
Supplementary Data S1: Performance datasets.
格式要求
《T-MED》要求初稿使用IEEE双栏模板（Word或LaTeX），建议6-10页，修订稿需符合出版规范。以下是具体要求：
字体和字号
- 正文：Times New Roman，10号字，单倍行距。
- 一级标题：粗体，11号字，首字母大写。
- 二级标题：粗体，10号字，首字母大写。
- 图表标题：粗体，8号字。
页面布局
- 使用 A4或Letter纸张，双栏排版。
- 页边距：上2.5厘米，下1.9厘米，左右1.6厘米。
- 行距：单倍行距，段前段后0点间距。
图表格式
- 图表嵌入正文，初稿为PDF，修订稿需单独上传高分辨率文件。
- 图表标题置于下方，Times New Roman，8号字，居中。
- 图表文字：8号字，确保清晰。
- 图表分辨率：至少300 DPI，推荐格式为TIFF、EPS或高分辨率JPEG。
- 颜色选择：支持彩色，建议高对比度（如蓝/黄），避免红绿。
- 图例：每幅图说明不超过300字，置于图下方。
- 版权：需获得受版权保护的图表许可，提交许可文件.
公式与术语
- 公式居中，右对齐编号，如 (1)，文中称为“equation (1)”.
- 术语遵循IEEE及材料科学标准（如“MoS2 composite”而非 “molybdenum disulfide composite”）。
- 示例：
(1) μ = E(x) + V(t)
表格
- 表格嵌入正文，包含标题和图例，置于页面顶部或底部。
- 大型表格作为补充材料（如Excel）。
参考文献格式
《T-MED》要求使用IEEE引用风格，按文中出现顺序编号，文中以方括号引用（如 [1]）。参考文献需准确，优先引用期刊文章。以下是示例：
- 期刊文章：
[1] K. Park, J. Lee, et al., “2D material trends,” IEEE Trans. Mater. Electron Devices, vol. 1, no. 3, pp. 123-134, Jan. 2024. - 会议论文：
[2] A. Lee and S. Gupta, “MoS2 transistors,” in Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, USA, Dec. 2024, pp. 45-46. - 书籍：
[3] S. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., New York, NY, USA: Wiley, 2007. - 数据集：
[4] A. Lee and M. J. Kim, “MoS2 dataset,” Zenodo, 2024. [Online]. Available: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456 - 预印本：
[5] S. Gupta and M. J. Kim, “2D material advances,” arXiv:2401.12345, Jan. 2024. [Online]. Available: https://arxiv.org/abs/2401.12345
伦理声明
- 利益冲突：需声明所有作者的利益冲突（如“无利益冲突”）。
- 伦理合规：涉及人类数据的需提供伦理委员会批准编号，遵循《赫尔辛基宣言》。
- 数据可用性：需声明数据存储库及访问方式。
- 代码可用性：需提供代码存储库或补充材料.
- 示例：
Competing interests: The authors declare no competing interests.
Ethics approval: Not applicable.
Data availability: Data at Zenodo: https://doi.org/10.5281/zenodo.123456.
Code availability: Code at GitHub: https://github.com/MoS2Transistor.
补充材料
- 补充材料作为单独文件提交，格式为PDF、Excel、MP4（H.264编码，16:9）或ZIP.
- 包含大型数据集、代码或视频，无额外费用.
- 示例：
Supplementary Video S1: MoS2 synthesis demo.
Supplementary Data S1: Performance datasets.
投稿流程
作者需通过Manuscript Central提交论文。流程如下：
- 注册并关联ORCID，指定通信作者（需符合IEEE作者标准）。
- 上传IEEE模板稿件（PDF）、cover letter、图表（嵌入PDF）及补充材料。
- 提供利益冲突声明、数据/代码可用性声明及伦理声明。
- 提交推荐审稿人（可选，3-5人，需提供姓名、邮箱及理由）。
- 在Manuscript Central跟踪审稿状态，初审约6-10周。
- 修订稿需提交：修改稿（Word/LaTeX）、审稿回复（逐点回应）、高分辨率图表。
- 可联系编辑部（tmed-eic@ieee.org）查询状态或申请APC减免（开放获取文章）.
最后
IEEE Transactions on Materials for Electron Devices在半导体材料、纳米材料及可持续制造工艺的突破性研究，可以塑造高效、低功耗的电子器件的未来发展。
建议投稿前仔细核对官网投稿指南及IEEE模板。
